I föreliggande rapport redogörs för felmekanismer i halvledarminnen. Främst RAM i CMOS-utförande. Huvudsakligen beskrivs latenta tillverkarfel som, under vissa angivna förutsättningar, utvecklas till permanenta hårdvarufel eller mjukvarufel i halvledarkretsen. Vidare beskrivs skydd mot fel t ex feldetekterande och feltoleranta konstruktionsmetoder. Skydden är inte enbart tillämpliga på ovan beskrivna fel utan även på externa fel och andra mjukvarufel. Avslutningsvis pekas på den ökade betydelse som feldetekterande och feltoleranta konstruktionsmetoder förväntas få och det därmed sammanhängande behovet för Statens provningsanstalt att utveckla sin kompetens härför. Som ett led i detta föreslås ett åtgärdsprogram bestående av exempel på projekt.