Endre søk
Begrens søket
1 - 1 of 1
RefereraExporteraLink til resultatlisten
Permanent link
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Treff pr side
  • 5
  • 10
  • 20
  • 50
  • 100
  • 250
Sortering
  • Standard (Relevans)
  • Forfatter A-Ø
  • Forfatter Ø-A
  • Tittel A-Ø
  • Tittel Ø-A
  • Type publikasjon A-Ø
  • Type publikasjon Ø-A
  • Eldste først
  • Nyeste først
  • Skapad (Eldste først)
  • Skapad (Nyeste først)
  • Senast uppdaterad (Eldste først)
  • Senast uppdaterad (Nyeste først)
  • Disputationsdatum (tidligste først)
  • Disputationsdatum (siste først)
  • Standard (Relevans)
  • Forfatter A-Ø
  • Forfatter Ø-A
  • Tittel A-Ø
  • Tittel Ø-A
  • Type publikasjon A-Ø
  • Type publikasjon Ø-A
  • Eldste først
  • Nyeste først
  • Skapad (Eldste først)
  • Skapad (Nyeste først)
  • Senast uppdaterad (Eldste først)
  • Senast uppdaterad (Nyeste først)
  • Disputationsdatum (tidligste først)
  • Disputationsdatum (siste først)
Merk
Maxantalet träffar du kan exportera från sökgränssnittet är 250. Vid större uttag använd dig av utsökningar.
  • 1.
    Lang, Jenny
    et al.
    RISE - Research Institutes of Sweden, Säkerhet och transport, Elektronik.
    Lim, jang Kwon
    RISE - Research Institutes of Sweden, ICT, Acreo.
    Hellén, Johan
    Saab AB, Sweden..
    Nilsson, Torbjörn M.J.
    Saab AB, Sweden..
    Schödt, Bo
    RISE., SP – Sveriges Tekniska Forskningsinstitut, SP Danmark A/S.
    Poder, Ralf
    RISE., SP – Sveriges Tekniska Forskningsinstitut, SP Danmark A/S.
    Belov, Ilja
    Jönköping University, Sweden.
    Bakowski, Mietek
    RISE - Research Institutes of Sweden, ICT, Acreo.
    Leisner, Peter
    RISE - Research Institutes of Sweden, Säkerhet och transport, Elektronik.
    Reliability Study of GaN-onSiC HEMT RF Power Amplifiers2018Inngår i: Advances in Technology Innovation, Vol. 3, nr 4, s. 157-165Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    The RF power amplifier demonstrators containing each one GaN-on-SiC, HEMT, CHZ015A-QEG, from UMSin SMD quad-flat no-leads package (QFN) were subjected to thermal cycles (TC) and power cycles (PC) andevaluated electrically, thermally and structurally. Two types of solders, Sn63Pb36Ag2 and lead-free SnAgCu(SAC305), and two types of TIM materials, NanoTIM and TgonTM 805, for PCB attachment to the liquid cold platewere tested for thermo-mechanical reliability. Changes in the electrical performance of the devices, namely thereduction of the current saturation value, threshold voltage shift, increase of the leakage current and degradation ofthe HF performance were observed as a result of an accumulated current stress during PC. No significant changes inthe investigated solder or TIM materials were observed.

1 - 1 of 1
RefereraExporteraLink til resultatlisten
Permanent link
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
v. 2.35.9