EnglishSvenskaNorsk
Endre søk
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Fabrication Characterization of 3C-SiC-Based MOSFETs
RISE., Swedish ICT, Acreo.
Vise andre og tillknytning
2006 (engelsk)Inngår i: CHEMICAL VAPOR DEPOSITION, Vol. 12, nr 8, s. 523-30Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert) Published
sted, utgiver, år, opplag, sider
2006. Vol. 12, nr 8, s. 523-30
HSV kategori
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:ri:diva-32187OAI: oai:DiVA.org:ri-32187DiVA, id: diva2:1152046
Tilgjengelig fra: 2017-10-24 Laget: 2017-10-24 Sist oppdatert: 2020-12-01bibliografisk kontrollert

Open Access i DiVA

Fulltekst mangler i DiVA

Av organisasjonen

Søk utenfor DiVA

GoogleGoogle Scholar

urn-nbn

Altmetric

urn-nbn
Totalt: 28 treff
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
v. 2.45.0