Endre søk
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
A C-V method of slow-switching interface traps identification in silicon carbide MOS structures
RISE., Swedish ICT, Acreo.
2010 (engelsk)Inngår i: Materials Science Forum, ISSN 0255-5476, E-ISSN 1662-9752, Vol. 645-648, s. 523-Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert) Published
sted, utgiver, år, opplag, sider
2010. Vol. 645-648, s. 523-
HSV kategori
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:ri:diva-32098OAI: oai:DiVA.org:ri-32098DiVA, id: diva2:1151957
Tilgjengelig fra: 2017-10-24 Laget: 2017-10-24 Sist oppdatert: 2018-01-13bibliografisk kontrollert

Open Access i DiVA

Fulltekst mangler i DiVA

Av organisasjonen
I samme tidsskrift
Materials Science Forum

Søk utenfor DiVA

GoogleGoogle Scholar

urn-nbn

Altmetric

urn-nbn
Totalt: 3 treff
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
v. 2.35.7